RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

総合得点
star star star star star
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB 考慮すべき理由
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,001.3 left arrow 10.6
    テスト平均値
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 58
    周辺 -81% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    58 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    4,796.5 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,001.3 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    768 left arrow 2900

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAMの比較

Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
メモリRAM