RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Confronto
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
58
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.5
2,001.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
33
Velocità di lettura, GB/s
4,796.5
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,001.3
5.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
768
1806
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link