RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Compara
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Puntuación global
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
58
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.5
2,001.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,796.5
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,001.3
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
768
1806
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link