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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Confronto
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs INTENSO 5641152 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641152 4GB
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Motivi da considerare
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
65
Intorno -183% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
4.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
23
Velocità di lettura, GB/s
6.1
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
4.2
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
985
2215
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
INTENSO 5641152 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
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