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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs INTENSO 5641152 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
INTENSO 5641152 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
INTENSO 5641152 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
65
左右 -183% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
23
读取速度,GB/s
6.1
14.1
写入速度,GB/s
4.2
6.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2215
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
INTENSO 5641152 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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