RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Confronto
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs INTENSO 5641162 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641162 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
INTENSO 5641162 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
65
Intorno -183% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
4.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
23
Velocità di lettura, GB/s
6.1
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
4.2
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
985
2799
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
INTENSO 5641162 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link