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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Confronto
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
6.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14200
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
13.9
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
14200
17000
Other
Descrizione
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2558
2256
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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