RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14200
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
17000
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2558
2256
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link