RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Confronto
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14200
Intorno 1.35 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
13.9
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
14200
19200
Other
Descrizione
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2558
2806
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link