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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
43
Intorno -95% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
22
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2809
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 9905712-016.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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