RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
43
Intorno -95% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
22
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3075
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link