RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
43
Intorno -95% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
22
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3075
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link