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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB

Punteggio complessivo
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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

Punteggio complessivo
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Super Talent F21UB8GS 8GB

Super Talent F21UB8GS 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB Motivi da considerare
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.3 left arrow 14
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.1 left arrow 7.2
    Valore medio nei test
Super Talent F21UB8GS 8GB Motivi da considerare
Super Talent F21UB8GS 8GB
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  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    22 left arrow 33
    Intorno -50% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    33 left arrow 22
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.3 left arrow 14.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.1 left arrow 7.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2667 left arrow 2200

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB Confronto tra le RAM

Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

Super Talent F21UB8GS 8GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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