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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
52
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
1,479.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
26
Velocità di lettura, GB/s
4,226.4
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,479.2
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
590
2728
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
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