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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
45
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.9
2,935.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
23
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2231
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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