RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
45
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
2,935.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
34
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2565
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link