Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 32
    Intorno 13% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    21.6 left arrow 10.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.5 left arrow 7.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 8500
    Intorno 3.01 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.9 left arrow 21.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.1 left arrow 15.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1668 left arrow 3684
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RAM 1
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