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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
71
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
34
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2974
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
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