RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2974
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link