RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2974
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link