RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
71
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2974
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link