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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
71
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
34
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
12.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2974
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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