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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
87
Por volta de -149% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
7.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2124
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
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Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
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