RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
87
Около -149% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
10.2
Скорость записи, Гб/сек
870.4
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2124
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link