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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
52
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
52
Velocità di lettura, GB/s
13.2
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2306
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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