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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
52
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
52
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2306
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
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