RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
52
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
52
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2306
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link