RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
30
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3491
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link