RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3491
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link