RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
36
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
33
Velocità di lettura, GB/s
14.8
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2481
2910
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link