RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
55
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
55
Velocità di lettura, GB/s
14.8
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2481
2078
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link