RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
28
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
19
Velocità di lettura, GB/s
12.4
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2014
3066
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link