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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.4
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2014
3568
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
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