RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2014
3568
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link