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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
22
Velocità di lettura, GB/s
12.4
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2014
3201
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
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