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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
31
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
24
Velocità di lettura, GB/s
17.4
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2735
2534
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
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