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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2534
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
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