RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1952
2663
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link