RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
35
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
9.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
35
Velocità di lettura, GB/s
17.4
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2735
2488
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link