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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
40
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
34
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2616
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
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