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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
40
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
34
读取速度,GB/s
12.3
16.4
写入速度,GB/s
8.9
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2616
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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