RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
33
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
33
Velocità di lettura, GB/s
17.4
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2735
3341
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link