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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
36
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
36
Velocità di lettura, GB/s
17.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2735
2353
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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