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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
104
Intorno -259% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
29
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3736
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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