RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
63
Intorno -163% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
24
Velocità di lettura, GB/s
8.1
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
17.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
3907
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link