Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 31
    Intorno 23% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.3 left arrow 16
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.4 left arrow 12.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 19200
    Intorno 1.11 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    24 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.0 left arrow 17.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.5 left arrow 13.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2925 left arrow 2762
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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