RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
36
Velocità di lettura, GB/s
16.4
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.5
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2618
2581
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link