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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
45
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
45
Velocità di lettura, GB/s
15.5
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2405
2036
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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