RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 45
    周辺 22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 8.5
    テスト平均値
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2405 left arrow 2036

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB RAMの比較

G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB RAMの比較

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
メモリRAM