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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
52
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
52
Velocità di lettura, GB/s
16.8
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2904
2306
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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