RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
52
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2904
2306
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston HMT351U6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link