RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
75
Wokół strony -257% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
21
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3380
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link