RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2208
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Jinyu 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link